Gửi tin nhắn
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
vbe003@vbejammer.com 86-755-86239323
Trang chủ
Các sản phẩm

Điện thoại di động gây nhiễu tín hiệu

Thiết bị gây nhiễu tín hiệu Wifi

Thiết bị gây nhiễu tín hiệu cầm tay

Thiết bị gây nhiễu bom

Thiết bị làm nhiễu điện thoại di động

Bộ gây nhiễu tín hiệu công suất cao

Thiết bị gây nhiễu tín hiệu di động

Thiết bị gây nhiễu tín hiệu GPS

Thiết bị chống nhiễu Drone

Máy phát hiện máy bay không người lái

Đánh chặn điện thoại di động

Module khuếch đại công suất RF

Bộ lặp tín hiệu điện thoại di động

Tăng cường tín hiệu di động

Đầu dò tín hiệu RF

Transitor điện RF

Thành phần thụ động RF

Ăng ten RF
Về chúng tôi
Hồ sơ công ty
Chuyến tham quan nhà máy
Kiểm soát chất lượng
Liên hệ chúng tôi
Tin tức
Mua sắm
vietnamese
English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish
Trích dẫn
Trang chủ
Các sản phẩm
Điện thoại di động gây nhiễu tín hiệu
Thiết bị gây nhiễu tín hiệu Wifi
Thiết bị gây nhiễu tín hiệu cầm tay
Thiết bị gây nhiễu bom
Thiết bị làm nhiễu điện thoại di động
Bộ gây nhiễu tín hiệu công suất cao
Thiết bị gây nhiễu tín hiệu di động
Thiết bị gây nhiễu tín hiệu GPS
Thiết bị chống nhiễu Drone
Máy phát hiện máy bay không người lái
Đánh chặn điện thoại di động
Module khuếch đại công suất RF
Bộ lặp tín hiệu điện thoại di động
Tăng cường tín hiệu di động
Đầu dò tín hiệu RF
Transitor điện RF
Thành phần thụ động RF
Ăng ten RF
Về chúng tôi
Hồ sơ công ty
Chuyến tham quan nhà máy
Kiểm soát chất lượng
Liên hệ chúng tôi
Tin tức
Tin tức
Các vụ án
Mua sắm
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
các sản phẩm
Trang chủ /

các sản phẩm

700-1000 MHz LDMOS FETs Transitor công suất cao RF 28V 260W với bảo vệ tích hợp ESD
700-1000 MHz LDMOS FETs Transitor công suất cao RF 28V 260W với bảo vệ tích hợp ESD
700-1000 MHz LDMOS FETs Transitor công suất cao RF 28V 260W với bảo vệ tích hợp ESD
700-1000 MHz LDMOS FETs Transitor công suất cao RF 28V 260W với bảo vệ tích hợp ESD
700-1000 MHz LDMOS FETs Transitor công suất cao RF 28V 260W với bảo vệ tích hợp ESD
700-1000 MHz LDMOS FETs Transitor công suất cao RF 28V 260W với bảo vệ tích hợp ESD

700-1000 MHz LDMOS FETs Transitor công suất cao RF 28V 260W với bảo vệ tích hợp ESD

Chi tiết sản phẩm

Nguồn gốc: Trung Quốc

Hàng hiệu: VBE

Chứng nhận: ISO

Số mô hình: VBE09260B2

Điều khoản thanh toán và vận chuyển

Số lượng đặt hàng tối thiểu: 1pcs

chi tiết đóng gói: Bao bì trung tính

Thời gian giao hàng: 5-8 ngày làm việc

Khả năng cung cấp: 10 nghìn

Nhận được giá tốt nhất
Liên hệ ngay bây giờ

Thông số kỹ thuật

Sự miêu tả
Thông số kỹ thuật
Điểm nổi bật:

bóng bán dẫn rf công suất cao

,

bóng bán dẫn điện cao tần

Điều kiện:
Thương hiệu mới và nguyên bản
Điều kiện:
Thương hiệu mới và nguyên bản
Sự miêu tả
700-1000 MHz LDMOS FETs Transitor công suất cao RF 28V 260W với bảo vệ tích hợp ESD

Tags:

bóng bán dẫn rf công suất cao,

bóng bán dẫn khuếch đại rf,

bóng bán dẫn điện cao tần

Sản phẩm tương tự
Transitor công suất RF bền bỉ Băng rộng DC đến 6GHz 25W Gallium Nitride 28 Volt

Transitor công suất RF bền bỉ Băng rộng DC đến 6GHz 25W Gallium Nitride 28 Volt

Nhận được giá tốt nhất
Transitor rộng 700-3600 MHz 20W RF Transitor LDMOS FET 28V Transitor LDMOS RF băng rộng, Transitor RF công suất cao

Transitor rộng 700-3600 MHz 20W RF Transitor LDMOS FET 28V Transitor LDMOS RF băng rộng, Transitor RF công suất cao

Nhận được giá tốt nhất
Ổn định Theramal ổn định Rf Bộ khuếch đại công suất Transitor LDMOS FET 28V Bền

Ổn định Theramal ổn định Rf Bộ khuếch đại công suất Transitor LDMOS FET 28V Bền

Nhận được giá tốt nhất
Vật liệu rắn Transitor công suất cao tốc độ cao Băng rộng DC đến 3GHz 120W

Vật liệu rắn Transitor công suất cao tốc độ cao Băng rộng DC đến 3GHz 120W

Nhận được giá tốt nhất
700-1000 MHz LDMOS FETs Transitor công suất cao RF 28V 260W với bảo vệ tích hợp ESD

700-1000 MHz LDMOS FETs Transitor công suất cao RF 28V 260W với bảo vệ tích hợp ESD

Nhận được giá tốt nhất
Băng tần rộng HF đến 1GHz 55W RF Transitor LDMOS FET 28V RoHs Tuân thủ

Băng tần rộng HF đến 1GHz 55W RF Transitor LDMOS FET 28V RoHs Tuân thủ

Nhận được giá tốt nhất
Gallium Nitride 28V RF Transitor Wide Band 700 đến 5000 MHz 25W Tuổi thọ dài

Gallium Nitride 28V RF Transitor Wide Band 700 đến 5000 MHz 25W Tuổi thọ dài

Nhận được giá tốt nhất
Bộ khuếch đại bóng bán dẫn DC To 8GHz 6W Rf Gallium Nitride 28V Điều kiện mới ban đầu

Bộ khuếch đại bóng bán dẫn DC To 8GHz 6W Rf Gallium Nitride 28V Điều kiện mới ban đầu

Nhận được giá tốt nhất
Transitor công suất cao tần số chấp thuận ISO Dải rộng 700 đến 6000 MHz 15 watt

Transitor công suất cao tần số chấp thuận ISO Dải rộng 700 đến 6000 MHz 15 watt

Nhận được giá tốt nhất
Gửi yêu cầu của bạn
Vui lòng gửi yêu cầu của bạn và chúng tôi sẽ trả lời bạn càng sớm càng tốt.
Gửi
về
Hồ sơ công ty
Chuyến tham quan nhà máy
Kiểm soát chất lượng
Liên hệ chúng tôi
Sơ đồ trang web
Chính sách bảo mật
các sản phẩm

Điện thoại di động gây nhiễu tín hiệu

Thiết bị gây nhiễu tín hiệu Wifi

Thiết bị gây nhiễu tín hiệu cầm tay

Thiết bị gây nhiễu bom

Thiết bị làm nhiễu điện thoại di động

Bộ gây nhiễu tín hiệu công suất cao

Liên hệ chúng tôi
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
vbe003@vbejammer.com
86-755-86239323
Tầng 4, Tòa nhà 8, Khu công nghiệp Xinwei, huyện Nanshan, Thâm Quyến, tỉnh Quảng Đông, Trung Quốc
Trung Quốc chất lượng tốt Điện thoại di động gây nhiễu tín hiệu Nhà cung cấp.Bản quyền © 2024 VBE Technology Shenzhen Co., Ltd. . Tất cả các quyềnKín đáo.